FMUSER Asli Baru MRF6VP2600H RF Power Transistor MOSFET Transistor 500MHz 600W Lateral N-Channel Broadband-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast Pemasok Satu Pintu

FMUSER Original New MRF6VP2600H RF Power Transistor MOSFET Transistor 500MHz 600W Lateral N-Channel Broadband Overview MRF6VP2600H dirancang terutama untuk aplikasi pita lebar dengan frekuensi hingga 500 MHz. Perangkat tidak tertandingi dan cocok untuk digunakan dalam aplikasi penyiaran. Fitur * Performa OFDM DVB-T Khas: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watt Rata-rata, f = 225 MHz, Bandwidth Saluran = 7.61 MHz, Sinyal Input PAR = 9.3 dB @ 0.01% Probabilitas pada CCDF. Penguatan Daya: 25 dBDrain Efisiensi: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Bandwidth * Performa Berdenyut Khas: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = Puncak 600 Watt, f = 225 MHz, Lebar Pulsa = 100

Detil

Sebelumnya:FMUSER Asli Baru MRFE6VP61K25H RF Power Transistor Transistor MOSFET Daya Tinggi LDMOS Untuk Pemancar FM 1000w

Berikutnya:FMUSER BLF178XR RF Transistor Daya Asli Baru Daya MOSFET Transistor LDMOS 1400W HF-128MHz

Harga (USD)	Qty (PCS)	Pengiriman (USD)	Total (USD)	Metode pengiriman	Pembayaran
245	1	35	280	DHL
				DHL

FMUSER MRF6VP2600H Baru Asli Baru Transistor Daya RF Transistor MOSFET 500MHz 600W Lateral N-Channel Broadband

Ringkasan

MRF6VP2600H dirancang terutama untuk aplikasi pita lebar dengan frekuensi hingga 500 MHz. Perangkat tidak cocok dan cocok untuk digunakan dalam aplikasi siaran.

Fitur

* Performa DVB-T OFDM Khas: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watt Rata-rata, f = 225 MHz, Bandwidth Saluran = 7.61 MHz, Sinyal Input PAR = 9.3 dB @ 0.01% Probabilitas pada CCDF. Penguatan Daya : 25 dBDrain Efisiensi: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Bandwidth

* Performa Pulsa Khas: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watt Peak, f = 225 MHz, Pulse Width = 100 µsec, Duty Cycle = 20% Power Gain: 25.3 dBDrain Efisiensi: 59%

* Mampu Menangani 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 Watts Peak Power, Lebar Pulsa = 100 µsec, Duty Cycle = 20%

* Ditandai dengan Parameter Impedansi Besar – Sinyal Seri Setara

* Kemampuan Operasi CW dengan Pendinginan yang Memadai

* Memenuhi Hingga Operasi Maksimum 50 VDD

* Terpadu Perlindungan ESD

* Dirancang untuk Operasi Dorong-Tarik

* Rentang Tegangan Gerbang Negatif yang Negatif untuk Operasi Kelas C yang Lebih Baik

* RoHS Compliant

* Dalam Tape dan Reel. R6 Suffix = 150 Unit per 56 mm, 13 inci Reel.

Spesifikasi

Frekuensi (Min) (MHz): 2

Frekuensi (Maks) (MHz): 500

Tegangan Suplai (Typ) (V): 50

P1dB (Typ) (dBm): 57.8

P1dB (Typ) (W): 600

Output Power (Typ) (W) @ Level Intermodulation pada Signal Test: 125.0 @ AVG

Sinyal Uji: OFDM

Penguatan Daya (Typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Efisiensi (Typ) (%): 28.5

Perlawanan Termal (Spec) (℃ / W): 0.2

Pencocokan: tidak cocok

Kelas: AB

Teknologi Mati: LDMOS

Harga (USD)	Qty (PCS)	Pengiriman (USD)	Total (USD)	Metode pengiriman	Pembayaran
245	1	35	280	DHL
				DHL

Sebelumnya:FMUSER Asli Baru MRFE6VP61K25H RF Power Transistor Transistor MOSFET Daya Tinggi LDMOS Untuk Pemancar FM 1000w

Berikutnya:FMUSER BLF178XR RF Transistor Daya Asli Baru Daya MOSFET Transistor LDMOS 1400W HF-128MHz

Tinggalkan pesan

Daftar pesan

Komentar Loading ...