FMUSER Asli Baru SD2931-11 RF Power Transistor High Power Gain 20V MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Pemasok

FMUSER Original New SD2931-11 RF Power Transistor High Power Gain 20V MOSFET Transistor Deskripsi: SD2931-11 adalah transistor daya RF efek medan MOS saluran-N logam emas. Menjadi identik secara elektrik dengan MOSFET SD2931 standar, ini dimaksudkan untuk digunakan dalam aplikasi sinyal besar 50 V dc hingga 230 MHz. SD2931-11 kompatibel secara mekanis dengan SD2931 tetapi juga menawarkan kapabilitas termal yang lebih baik (resistansi termal 25% lebih rendah), mewakili transistor terbaik di kelasnya untuk aplikasi ISM, di mana keandalan dan ketangguhan merupakan faktor kritis. Fitur: * Metalisasi emas * Stabilitas termal yang sangat baik * Sumber umum

Detil

Sebelumnya:FMUSER BLF177 Asli Baru RF Power Transistor High Power Gain 50V MOSFET Transistor

Berikutnya:FMUSER MRFE6VP5600H Asli Baru RF Power Transistor Daya MOSFET Transistor Untuk 600 w FM Transmitter

Harga (USD)	Qty (PCS)	Pengiriman (USD)	Total (USD)	Metode pengiriman	Pembayaran
108	1	35	143	DHL
				DHL

FMUSER Asli Baru SD2931-11 RF Power Transistor High Power Gain 20V MOSFET Transistor

Deskripsi:
SD2931-11 adalah saluran N logam emas Transistor daya RF medan-efek MOS. Makhluk identik secara elektrik dengan SD2931 standar MOSFET, ini dimaksudkan untuk digunakan dalam 50 V dc besar aplikasi sinyal hingga 230 MHz. SD2931-11 kompatibel secara mekanis dengan Namun SD2931 selain menawarkan thermal yang lebih baik kemampuan (25% ketahanan termal lebih rendah), mewakili transistor terbaik di kelasnya untuk ISM aplikasi, di mana keandalan dan kekasaran berada faktor kritis.

Fitur:
* Metalisasi emas
* Stabilitas termal yang sangat baik
* Konfigurasi sumber umum
* POUT = 150 W mnt. dengan gain 14 dB @ 175MHz
* Kemasan yang ditingkatkan secara termal untuk lebih rendah
* suhu persimpangan
* GFS dan VGS disortir pada unit

Spesifikasi:

* Seri: SD2931
* Kategori Produk: Transistor RF MOSFET
* Polaritas Transistor: N-Channel
* Teknologi: Si
* Id - Continuous Drain Current: 20 A
* Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 125 V
* Keuntungan: 15 dB
* Output Power: 150 W
* Suhu Operasional Minimum: - 65 C
* Suhu Operasi Maksimum: + 200 C
* Gaya Pemasangan: Pasang Sekrup
* Kemasan: massal
* Konfigurasi: Sumber Ganda Tunggal
* Tinggi: 7.11 mm (Maks)
* Panjang: 24.89 mm (Maks)
* Frekuensi Operasi: 230 MHz
* Lebar: 12.83 mm (Maks)
* Mode Saluran: Peningkatan
* Pd - Disipasi Daya: 389 W
* Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: 20 V