FMUSER Asli Baru SD2932 RF Power Transistor High Power Gain 50 V MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Siaran Satu Pintu Pemasok

FMUSER Original New SD2932 RF Power Transistor High Power Gain 50V MOSFET Transistor Fitur ● Metalisasi emas ● Stabilitas termal yang sangat baik ● Konfigurasi push-pull sumber umum ● POUT = 300 W min. dengan penguatan 15 dB @ 175 MHz Deskripsi FMUSER SD2932 adalah transistor daya RF efek medan MOS saluran-N metalik emas dengan stabilitas termal yang sangat baik yang digunakan untuk aplikasi sinyal besar DC 50 V hingga 250 MHz. Spesifikasi: ● Kategori Produk: Transistor MOSFET RF ● Polaritas Transistor: Saluran-N ● Id - Arus Pembuangan Kontinu: 40 A ● Vds - Tegangan Rusak Sumber Pengurasan: 125 V ● Penguatan: 15 dB ● Daya Output: 300 W ● Pengoperasian Minimum Suhu: - 65 C ● Suhu Pengoperasian Maksimum: + 150 C ● Gaya Pemasangan: SMD / SMT

Detil

Sebelumnya:FMUSER Asli Baru SD2942 N-Channel 350W Output RF Daya Transistor RF MOSFET Transistor RF Transistor

Berikutnya:FMUSER Original MRF151 To-59 High-Frequency Tube 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET RF Power Field-Effect Transistor

Harga (USD)	Qty (PCS)	Pengiriman (USD)	Total (USD)	Metode pengiriman	Pembayaran
199	1	0	199	DHL
				DHL

FMUSER Asli Baru SD2932 RF Power Transistor High Power Gain 50 V MOSFET Transistor

Fkedewasaan

●Metallisasi emas
●Stabilitas termal yang sangat baik
●Konfigurasi push-pull sumber umum
●POUT = 300 W mnt. dengan gain 15 dB @ 175

MHz

Deskripsi Produk
FMUSER SD2932 adalah transistor daya RF efek medan N-channel MOS metalik emas dengan stabilitas termal yang sangat baik yang digunakan untuk aplikasi sinyal besar 50 V DC hingga 250 MHz.

Spesifikasi:

●Kategori Produk: Transistor RF MOSFET
●Transistor Polarity: N-Channel
●Id - Continuous Drain Current: 40 A
●Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 125 V
●Keuntungan: 15 dB
●Output Power: 300 W
●Suhu Operasional Minimum: - 65 C
●Suhu Operasi Maksimum: + 150 C
●Gaya Pemasangan: SMD / SMT
●Paket / Wadah: M244
●Kemasan: Baki
●Konfigurasi: Tunggal
●Frekuensi Operasi: 250 MHz
●Jenis: RF Power MOSFET
●Pd - Disipasi Daya: 500 W
●Jenis Produk: Transistor RF MOSFET
●Subkategori: MOSFET
●Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: 5 V