FMUSER 1 pcs Asli Baru MRF317 RF TRANSISTOR, BROADBAND RF POWER TRANSISTOR-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

FMUSER 1 pcs Asli Baru MRF317 RF TRANSISTOR, BROADBAND RF POWER TRANSISTOR Deskripsi: Dirancang terutama untuk tahap penguat keluaran wideband largesignal dalam rentang frekuensi 30 MHz. Kinerja yang Dijamin pada 200 MHz, Daya Output 150 Vdc Penguatan Minimum 28 W = 100 dB Jaringan Pencocokan Built-in untuk Operasi Pita Lebar 9.0% Diuji untuk Ketidaksesuaian Beban di semua Sudut Fase dengan Sistem Metalisasi Emas VSWR 100: 30 untuk Keandalan Tinggi Daya Saturasi Output Tinggi Cocok Secara Ideal untuk Carrier / 1 W Peak AM Amplifier Layanan Kinerja Dijamin dalam Perlengkapan Uji Broadband PERINGKAT MAKSIMUM Rating KolektorEmitter Voltage CollectorBase Voltage EmitterBase Voltage Collector Arus Kolektor Arus Kontinyu Puncak (120 detik

Detil

Sebelumnya:FMUSER 1 pcs Asli Baru MRF6VP3450H Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET Transistor

Berikutnya:FMUSER 1 pcs Asli Baru TRANSISTOR RF RD70HVF1

Harga (USD)	Qty (PCS)	Pengiriman (USD)	Total (USD)	Metode pengiriman	Pembayaran
59	1	0	59	pengiriman pos udara
				pengiriman pos udara

FMUSER 1 pcs Asli Baru MRF317 RF TRANSISTOR, BROADBAND RF POWER TRANSISTOR

Deskripsi:
Dirancang terutama untuk tahap-tahap penguat keluaran berdesain lebar pita lebar dalam rentang frekuensi 30 MHz. Kinerja yang Dijamin pada 200 MHz, Daya Output 150 Vdc Penguatan Minimum 28 W = 100 dB Jaringan Pencocokan Built-in untuk Operasi Pita Lebar 9.0% Diuji untuk Ketidaksesuaian Beban di semua Sudut Fase dengan Sistem Metalisasi Emas VSWR 100: 30 untuk Keandalan Tinggi Daya Saturasi Output Tinggi Cocok Secara Ideal untuk Carrier / 1 W Peak AM Amplifier Layanan Kinerja yang Dijamin dalam Perlengkapan Uji Broadband PERINGKAT MAKSIMUM
Rating CollectorEmitter Voltage CollectorBase Voltage EmitterBase Voltage Collector Arus Arus Kolektor Kontinyu Puncak (10 detik) Total Perangkat Disipasi 25 ° C (1) Turunkan di atas 25 ° C Simbol Kisaran Suhu Penyimpanan VCEO VCBO VEBO IC PD Tstg Nilai ke +150 Unit Vdc Adc Watts W / ° C ° C
Karakteristik Ketahanan Termal, Simbol Persimpangan ke Kasus RJC Max 0.65 Unit ° C / W.

spesifikasi:
●Atribut Produk Nilai Atribut Pencarian Serupa
●Produsen: FMUSER
●Kategori Produk: Transistor Bipolar RF
● Merek: FMUSER
●Tipe Produk: Transistor Bipolar RF

●Subkategori: Transistor

Fitur:
●KARAKTERISTIK LISTRIK: (TC = 25 ° C kecuali dinyatakan lain.)
●Penguatan Daya Amplifier CommonEmitter: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Maks) = 6.5 Adc)
●Efisiensi Kolektor: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Max) = 6.5 Adc) Mismatch Beban (VCC = 28 Vdc, Pout 100 W CW, = 150 MHz, VSWR = 30: 1 semua sudut fasa)
●GPE Tidak Ada Penurunan Daya Output dB%