MRFX1K80H: 1800 W CW lebih dari 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

MRFX1K80H: 1800 W CW di atas 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS Transistor Deskripsi MRFX1K80H adalah perangkat pertama yang didasarkan pada teknologi 65 V LDMOS baru yang berfokus pada kemudahan penggunaan. Transistor dengan kekasaran tinggi ini dirancang untuk digunakan dalam aplikasi industri, ilmiah dan medis VSWR tinggi, serta siaran radio dan VHF TV, ruang angkasa sub-GHz, dan aplikasi radio seluler. Desain input dan outputnya yang tak tertandingi memungkinkan penggunaan rentang frekuensi yang luas dari 1.8 hingga 400 MHz. MRFX1K80H kompatibel dengan pin (PCB yang sama) dengan versi plastiknya MRFX1K80N, dengan MRFE6VP61K25H dan MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V), dan dengan MRF1K50H dan MRF1K50N (1500 W @ 50 V). Fitur

Detil

Sebelumnya:1 PCS MRF454 transistor RF asli

Berikutnya:FMUSER MRF1535NT1 RF Power Transistor Daya Transistor Daya MOSFET Asli Baru

Harga (USD)	Qty (PCS)	Pengiriman (USD)	Total (USD)	Metode pengiriman	Pembayaran
245	1	0	245	DHL
				DHL

MRFX1K80H: 1800 W CW di atas 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS Transistor

Deskripsi Produk

MRFX1K80H adalah perangkat pertama yang didasarkan pada teknologi 65 V LDMOS baru itu berfokus pada kemudahan penggunaan. Transistor dengan kekasaran tinggi ini dirancang untuk digunakan dalam kondisi tinggi Aplikasi VSWR industri, ilmiah dan medis, serta radio dan VHF TV broadcast, sub-GHz aerospace, dan aplikasi radio seluler. Masukannya yang tak tertandingi dan desain keluaran memungkinkan penggunaan rentang frekuensi yang luas dari 1.8 hingga 400 MHz.MRFX1K80H kompatibel dengan pin (PCB yang sama) dengan versi plastiknya MRFX1K80N, dengan MRFE6VP61K25H dan MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V), dan dengan MRF1K50H dan MRF1K50N (1500 W @ 50 V).

Fitur
●Berdasarkan teknologi LDMOS 65 V baru, dirancang untuk kemudahan penggunaan
●Ditandai dari 30 hingga 65 V untuk rentang daya yang diperpanjang
●Input dan output yang tak tertandingi
●Tegangan tembus tinggi untuk meningkatkan keandalan dan arsitektur efisiensi yang lebih tinggi
●Kemampuan penyerapan energi longsoran sumber drainase yang tinggi
●Kekasaran tinggi. Menangani 65: 1 VSWR.
●RoHS compliant

●Opsi ketahanan termal yang lebih rendah dalam paket plastik cetakan berlebih: MRFX1K80N

Aplikasi

● Industri, ilmiah, medis (ISM)
● Generasi laser
● Pembuatan plasma
● Akselerator partikel
● MRI, ablasi RF, dan perawatan kulit
● Sistem pemanas, pengelasan dan pengeringan industri
● Radio dan siaran TV VHF
● Ruang Angkasa
● Komunikasi HF

● Radar

Paket termasuk

1xMRFX1K80H Transistor LDMOS Daya RF