FMUSER 1 pcs Asli Baru MRF141G RF Power MOSFET Transistor -RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Pemasok

FMUSER 1pcs Original New MRF141G RF Power MOSFET Transistor Deskripsi Dirancang untuk aplikasi komersial dan militer broadband pada frekuensi hingga 175 MHz. Daya tinggi, penguatan tinggi, dan kinerja broadband perangkat ini sangat berguna untuk siaran FM atau pemancar dan amplifier solid state pita frekuensi saluran TV. Fitur ● Kinerja terjamin pada 175MHz, 28V: ● Daya keluaran: 300W ● Penguatan: 12dB (Tipe 14dB) ● Efisiensi: 50% ● Resistansi termal rendah: 0.35 ° C / W ● Ketangguhan diuji pada daya keluaran terukur ● Mati mati nitrida selama spesifikasi keandalan yang ditingkatkan ● Polaritas Transistor: N-Channel ● Teknologi: Si ● Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan: 32 A

Detil

Sebelumnya:TRANSISTOR MOSFET DAYA RF MRF148A

Berikutnya:BLF878 RF POWER MOSFET TRANSISTOR

Harga (USD)	Qty (PCS)	Pengiriman (USD)	Total (USD)	Metode pengiriman	Pembayaran
168	1	0	168	DHL
				DHL

FMUSER 1 pcs Asli Baru MRF141G Transistor RF Power MOSFET

Deskripsi Produk

Dirancang untuk aplikasi komersial dan militer broadband pada frekuensi hingga 175 MHz. Kekuatan tinggi, tinggi gain dan kinerja broadband perangkat ini sangat berguna untuk siaran FM atau frekuensi saluran TV band solid state transmitter dan amplifier.

Fitur

●Performa terjamin pada 175MHz, 28V:
●Daya keluaran: 300W
●Keuntungan: 12dB (14dB Typ.)
●Efisiensi: 50%
●Resistansi termal rendah: 0.35 ° C / W.
●Ketangguhan diuji pada daya keluaran terukur
●Nitride passivated die untuk meningkatkan keandalan

spesifikasi
●Polaritas Transistor: N-Channel
●Teknologi: Si
●Id - Drain Kontinyu Saat Ini: Para 32
●Vds - Tegangan Kerusakan Sumber-sumber: 65 V
●Frekuensi operasi: 175 MHz
●Keuntungan: 12 dB
●Output Power: 300 W
●Suhu Operasi Minimum: - 65 C
●Suhu Operasi Maksimum: + 150c
●Mounting Style: SMD / SMT
●Paket / kasus: 375-04
●Pd - Pembuangan Daya: 500 W
●Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: 40 V

●Vgs th - Tegangan Ambang Sumber Gerbang: 3 V