FMUSER Asli Baru MRF171A RF Daya Transistor Daya MOSFET-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Pemasok

FMUSER Original New MRF171A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Deskripsi Dirancang terutama untuk keluaran sinyal besar pita lebar dan tahap driver dari 30–200 MHz. Fitur ● Mode Peningkatan N – Channel MOSFET ● Stabilitas Termal Sempurna Cocok untuk Operasi Cass A ● Performa terjamin pada 150 MHz, 28 Vdc: Daya keluaran = 45 W, ● Penguatan daya = 17 dB (mnt) 'Efisiensi = 60% (mnt) ● Data Khas untuk Aplikasi Penguat Daya dalam Industri, ● Peralatan Radio Komersial dan Amatir: ● Kinerja umum pada 30 MHz, 28 Vdc: Daya Output = 30 W, Daya ● penguatan = 20 dB (Jenis) (PEP), Efisiensi = 50 % (typ.), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (

Detil

Sebelumnya:FMUSER Asli Baru MRF173 RF Daya Transistor Daya MOSFET Transistor

Berikutnya:MRFE6VP5300N RF POWER MOSFET TRANSISTOR

Harga (USD)	Qty (PCS)	Pengiriman (USD)	Total (USD)	Metode pengiriman	Pembayaran
56	1	0	56	pos udara
				pos udara

FMUSER Asli Baru MRF171A Daya RF Transistor Daya MOSFET Transistor

Deskripsi Produk

Dirancang terutama untuk driver dan output sinyal besar pita lebar tahapan dari 30–200 MHz.

Fitur

●N – Channel Enhancement Mode MOSFET
●Stabilitas Termal Sangat Baik Cocok untuk Operasi Cass A.
●Performa terjamin pada 150 MHz, 28 Vdc: Daya keluaran = 45 W,
●Penguatan daya = 17 dB (mnt) 'Efisiensi = 60% (mnt)
●Data Khas untuk Aplikasi Penguat Daya di Industri,

●Peralatan Radio Komersial dan Amatir:

●Performa tipikal pada 30 MHz, 28 Vdc: Daya Output = 30 W, Daya

●gain = 20 dB (Typ.) (PEP), Efisiensi = 50% (typ.), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (Biasa)
●Logam Emas Atas
●Crss Rendah - 8 pF @ VDS = 28 V.
●100% Diuji untuk Ketidakcocokan Beban di semua Sudut Fase dengan VSWR 30: 1
●Memfasilitasi Pengendalian Penguatan Manual, ALC dan Teknik Modulasi