FMUSER Asli SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFET N-channel MOS efek medan Broadband RF Power-Effect Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast Pemasok Satu Pintu

FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-channel MOS field-effect Broadband RF Power Field-Effect Transistor Deskripsi SD2941-10 adalah transistor daya RF efek medan N-channel MOS metalized emas, dimaksudkan untuk digunakan dalam Aplikasi sinyal besar 28 V hingga 50 V dc hingga 230 MHz. Ini menawarkan RDS (aktif) 25% lebih rendah daripada standar industri, dengan PSAT 20% lebih tinggi daripada perangkat SD2931-10 ST. SD2941-10 ditempatkan dalam paket non-pedestal M174 termal rendah, menawarkan resistansi termal 25% lebih rendah daripada standar industri, sehingga menjadikannya transistor "terbaik di kelasnya" untuk aplikasi ISM, di mana keandalan dan ketangguhan merupakan faktor kritis . Specifica

Detil

Sebelumnya:FMUSER Original MRF151 To-59 High-Frequency Tube 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET RF Power Field-Effect Transistor

Berikutnya:FMUSER MRFE6VP5150N Daya RF Transistor LDMOS Kekasaran Tinggi N - Peningkatan Saluran - Mode Lateral MOSFETs Transistor

Harga (USD)	Qty (PCS)	Pengiriman (USD)	Total (USD)	Metode pengiriman	Pembayaran
79	1	0	79	Pos udara
				Pos udara

FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFET saluran-N Efek medan MOS Broadband Efek Medan Listrik RF Transistor

Deskripsi Produk
SD2941-10 adalah saluran-N emas yang dimetalisasi Transistor daya RF medan-efek MOS, ditujukan untuk gunakan dalam 28 V hingga 50 V dc aplikasi sinyal besar ke atas hingga 230 MHz. Ini menawarkan RDS 25% lebih rendah (on) dari pada standar industri, dengan PSAT 20% lebih tinggi dari Perangkat SD2931-10 ST. SD2941-10 adalah bertempat di M174 termal rendah non-tumpuan paket, menawarkan ketahanan termal 25% lebih rendah dari standar industri, sehingga membuatnya Transistor "terbaik di kelasnya" untuk aplikasi ISM, di mana keandalan dan kekasaran sangat penting faktor.

spesifikasi

● Kategori Produk: Transistor RF MOSFET
● Transistor Polarity: N-Channel
● Id - Continuous Drain Current: 20 A
● Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 130 V
● Keuntungan: 15.8 dB
● Output Power: 175 W
● Suhu Operasional Minimum: - 65 C
● Suhu Operasi Maksimum: + 150 C
● Gaya Pemasangan: SMD / SMT
● Paket / Kasing: M174
● Kemasan: massal
● Konfigurasi: Tunggal
● Tinggi: 7.11 mm
● Panjang: 24.89 mm
● Frekuensi Operasi: 230 MHz
● Seri: SD2941
● Jenis: RF Power MOSFET
● Lebar: 12.83 mm
● Forward Transconductance - Min: 6 S
● Mode Saluran: Peningkatan
● Pd - Disipasi Daya: 389 W
● Jenis Produk: Transistor RF MOSFET
● Jumlah Paket Pabrik: 25
● Subkategori: MOSFET
● Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: 20 V

Fitur
● Metallisasi emas
● Stabilitas termal yang sangat baik
● Konfigurasi sumber umum
● POUT = 175 W mnt. dengan gain 15 dB @ 175
MHz, 50 V.
● POUT = 135 W ketikkan. dengan gain 14 dB @ 123 MHz,
28 V
● RDS rendah (aktif)
● Kemasan yang ditingkatkan secara termal untuk lebih rendah
● suhu persimpangan
● Sesuai dengan Eropa 2002/95 / EC1
Direktif