FMUSER MRFE6VP5150N Daya RF Transistor LDMOS Kekasaran Tinggi N - Peningkatan Saluran - Mode Lateral MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast Pemasok Satu Pintu

FMUSER MRFE6VP5150N RF Power LDMOS Transistors Kekasaran Tinggi N - Channel Enhancement Mode Lateral MOSFETs Transistor Deskripsi Perangkat dengan kekasaran tinggi ini dirancang untuk digunakan dalam industri VSWR tinggi (termasuk laser dan penggerak plasma), siaran (analog dan digital), dirgantara dan radio / darat aplikasi seluler. Mereka adalah desain input dan output yang tak tertandingi yang memungkinkan pemanfaatan rentang frekuensi yang luas, antara 1.8 dan 600 MHz. Kinerja Khas: VDD = 50 Vdc Nilai Parameter ● Frekuensi (Min) (MHz): 1.8 ● Frekuensi (Maks) (MHz): 600 ● Tegangan Suplai (Jenis) (V): 50 ● P1dB (Jenis) (dBm): 51.8 ● P1dB (Jenis) (W): 150 ● Daya Output (Jenis) (W) @ Tingkat Intermodulasi pada Sinyal Uji: CW @

Detil

Sebelumnya:FMUSER Asli SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFET N-channel efek medan MOS Broadband RF Power-efek Transistor Efek

Berikutnya:FMUSER Asli BLF888A 600W 50V UHF Daya LDMOS RF Power Transistor

Harga (USD)	Qty (PCS)	Pengiriman (USD)	Total (USD)	Metode pengiriman	Pembayaran
126	1	0	126	DHL
				DHL

FMUSER MRFE6VP5150N Daya RF Transistor LDMOS Kekasaran Tinggi N - Mode Peningkatan Saluran Transistor MOSFET Lateral

Deskripsi Produk

Perangkat dengan tingkat kekerasan tinggi ini dirancang untuk digunakan dalam VSWR tinggi industri (termasuk pemancar laser dan plasma), siaran (analog dan digital), aplikasi mobile kedirgantaraan dan radio / darat. Mereka adalah input dan tandingan desain keluaran memungkinkan pemanfaatan rentang frekuensi yang luas, antara 1.8 dan 600 MHz.

Performa Khas: VDD = 50 Vdc

Parameter Nilai
● Frekuensi (Min) (MHz): 1.8
● Frekuensi (Maks) (MHz): 600
● Tegangan Suplai (Typ) (V): 50
● P1dB (Jenis) (dBm): 51.8
● P1dB (Jenis) (W): 150
● Output Power (Typ) (W) @ Level Intermodulation pada Signal Test: [email protected]
● Sinyal uji: CW
● Penguatan Daya (Typ) (dB) @ f (MHz): 230 @ 26.3
● Efisiensi (Tip) (%): 72
● Perlawanan Termal (Spec) (℃ / W): 0.21
● Sesuai: tiada bandingan
● Kelas: AB
● Teknologi mati: LDMOS