FMUSER Asli MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Transistor Daya Transistor MOSFET Transistor N-Channel-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Power Transistor Power MOSFET Transistor N-Channel Fitur: ● Nomor Komponen MRF173CQ ● Deskripsi FET RF 65V 150MHZ 316-01 ● Deskripsi Detil RF Mosfet N-Channel 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, Style 2 ● Lembar Data MRF173CQ ● Informasi Lingkungan Sertifikat RoHS ● Lembar Data HTML MRF173CQ Deskripsi: ● Kemasan: Baki ● Status Bagian: Aktif ● Jenis Transistor: N-Channel ● Frekuensi: 150MHz ● Penguatan: 13dB ● Tegangan - Uji: 28V ● Peringkat Saat Ini (Amps) : 9A ● Kebisingan Gambar: 1.5dB ● Arus - Tes: 50mA ● Daya - Output: 80W ● Volta

Detil

Sebelumnya:FMUSER Asli BLF888A 600W 50V UHF Daya LDMOS RF Power Transistor

Berikutnya:FMUSER Asli SRF3999 28V 50mA 150MHz 80W Transistor Daya RF

Harga (USD)	Qty (PCS)	Pengiriman (USD)	Total (USD)	Metode pengiriman	Pembayaran
79	1	0	79	Airmail Pengiriman
				Airmail Pengiriman

FMUSER Asli MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Daya Transistor Daya MOSFET Transistor N-Channel

Fitur:

● Part Number MRF173CQ

● Deskripsi Produk FET RF 65V 150MHZ 316-01
● Detil Deskripsi RF Mosfet N-Channel 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, Gaya 2
● Lembaran Data MRF173CQ

● Informasi lingkungan Sertifikat RoHS

● Lembar Data HTML MRF173CQ

Deskripsi:
● Pengemasan : Baki
● Status Bagian: Aktif
● Jenis Transistor: N-Channel
● Frekuensi: 150MHz
● Keuntungan: 13dB
● Tegangan - Tes: 28V
● Peringkat Saat Ini (Amps): 9A
● Gambar Kebisingan: 1.5dB
● Saat - Tes: 50mA
● Daya - Output: 80W
● Tegangan - Nilai: 65V

aplikasi:

Dirancang untuk aplikasi broadband komersial dan militer hingga rentang frekuensi 200 MHz. Performa daya tinggi, gain tinggi, dan broadband dari perangkat ini memungkinkan pemancar solid state untuk siaran FM atau pita frekuensi saluran TV, mode penyempurnaan Saluran NMOSFET

Parameter:
MOSFET mode peningkatan N – Channel
● Kinerja terjamin pada 150 MHz, 28 V:
Daya keluaran = 80 W.
Penguatan = 11 dB (tipe 13 dB)
Efisiensi = 55% Min. (60% ketik)
● Ketahanan termal rendah
● Ketangguhan diuji pada daya keluaran terukur
● mati pasif nitrida untuk meningkatkan
● keandalan
● Angka noise rendah - tipe 1.5 dB. pada 2.0 A, 150 MHz

● Stabilitas termal yang sangat baik; cocok untuk operasi Kelas A.