FMUSER Asli BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF Power Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Pemasok

FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF Power Transistor Deskripsi: Sebuah transistor daya RF LDMOS 600 W untuk aplikasi pemancar siaran dan aplikasi industri. Ketangguhan yang sangat baik dari perangkat ini membuatnya ideal untuk aplikasi pemancar digital dan analog. Fitur ● Ketangguhan yang sangat baik (VSWR ≥ 40: 1 melalui semua fase) ● Perilaku dan keandalan termal yang optimal, Rth (jc) = 0.15 K / W ● Sesuai untuk aplikasi CW UHF dan ISM ● Penguatan daya tinggi ● Efisiensi tinggi ● Dirancang untuk operasi broadband (470 MHz hingga 860 MHz) ● Pencocokan input internal untuk penguatan tinggi dan operasi broadband optimal ● Keandalan yang sangat baik ● Mudah

Detil

Sebelumnya:FMUSER MRFE6VP5150N Daya RF Transistor LDMOS Kekasaran Tinggi N - Peningkatan Saluran - Mode Lateral MOSFETs Transistor

Berikutnya:FMUSER Asli MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Daya Transistor Daya MOSFET Transistor N-Channel

Harga (USD)	Qty (PCS)	Pengiriman (USD)	Total (USD)	Metode pengiriman	Pembayaran
296	1	0	296	DHL
				DHL

FMUSER Original BLF888A 600W 50V Daya UHF LDMOS RF Power Transistor

Deskripsi:

Transistor daya RF 600 W LDMOS untuk aplikasi pemancar siaran dan aplikasi industri. Kekasaran yang luar biasa dari perangkat ini membuatnya ideal untuk aplikasi pemancar digital dan analog.

Fitur

● Ketangguhan yang sangat baik (VSWR ≥ 40: 1 melalui semua fase)
● Perilaku dan keandalan termal optimal, Rth (jc) = 0.15 K / W
● Cocok untuk aplikasi CW UHF dan ISM
● gain daya tinggi
● Efisiensi tinggi
● Dirancang untuk operasi broadband (470 MHz ke 860 MHz)
● Pencocokan input internal untuk gain tinggi dan operasi broadband optimal
● keandalan yang sangat baik
● power control mudah
● Sesuai dengan Petunjuk Pembatasan Zat Berbahaya (RoHS) 2002/95 / EC

Aplikasi
● Aplikasi pemancar komunikasi di pita UHF

● Aplikasi industri di pita UHF

parameter

● Символ Parameter Kondisi Min Jenis / Nama: max Satuan
● Rentang F. rentang frekuensi: 470 860 MHz
● PL (1dB) daya keluaran nominal: pada kompresi gain 1 dB 600 IN
● Sinyal uji: DVB-T (8k OFDM)
● Gp penguatan daya VDS = 50V; f = 858 MHz 20 dB
D efisiensi pembuangan VDS = 50 V; f = 858 MHz; IDq = 1.3 A. 31 %
● PL (AV) daya keluaran rata-rata VDS = 50V; f = 858 MHz 120 IN
● MDshldr intermodulation distorsi pelemahan bahu f = 858 MHz [0] -31 dBc
● BY rasio puncak-ke-rata-rata f = 858 MHz [1] 7.8 dB
● Tipe: Transistor Daya RF
● Frekuensi Min: 0.47 GHz
● Frekuensi Maks: 0.86 GHz
● Output Power: 600 W.

● Keuntungan: 20 dB

● % Jenis Efisiensi: 58