FMUSER Original MRF151 To-59 High-Frequency Tube 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET RF Power Field-Effect Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

FMUSER Original MRF151 To-59 High-Frequency Tube 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET RF Power Field-Effect Transistor Ikhtisar Perangkat seri MRF adalah transistor RF bipolar 1MHz hingga 3.5GHz berkinerja tinggi. Transistor bipolar Tech ini ideal untuk avionik, komunikasi, radar, dan aplikasi industri, ilmiah, dan medis. Perangkat seri MRF adalah bagian dari rangkaian luas transistor daya RF yang juga mencakup amplifier palet, transistor TMOS dan DMOS, dan transistor LDMOS. Fitur ● Performa yang Dijamin pada 30 MHz, 50 V: ● Daya Output - 150 W ● Penguatan - 18 dB (Jenis 22 dB) ● Efisiensi - 40% ● Performa Umum pada 175 MHz, 50 V: ● Ou

Detil

Sebelumnya:FMUSER Asli Baru SD2932 RF Power Transistor High Power Gain 50 V MOSFET Transistor

Berikutnya:FMUSER Asli SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFET N-channel efek medan MOS Broadband RF Power-efek Transistor Efek

Harga (USD)	Qty (PCS)	Pengiriman (USD)	Total (USD)	Metode pengiriman	Pembayaran
149	1	0	149	DHL
				DHL

FMUSER Original MRF151 To-59 High-Frequency Tube

150 W, 50 V, 175 MHz Broadband N-Channel MOSFET RF Transistor Efek Medan Daya

Ringkasan

Perangkat seri MRF adalah transistor RF bipolar 1MHz hingga 3.5GHz berperforma tinggi. Transistor bipolar Tech ini ideal untuk avionik, komunikasi, radar, dan aplikasi industri, ilmiah, dan medis. Perangkat seri MRF adalah bagian dari rangkaian luas transistor daya RF yang juga mencakup amplifier palet, transistor TMOS dan DMOS, dan transistor LDMOS.

Fitur

● Kinerja Dijamin pada 30 MHz, 50 V:
● Output Power - 150 W
● Penguatan - 18 dB (22 dB Typ)
● Efisiensi - 40%
● Performa Khas di 175 MHz, 50 V:
● Output Power - 150 W
● Keuntungan - 13 dB

● Resistensi termal rendah
● Kekasaran Diuji pada Daya Output Nilai
● Nitride Dipasivasi Mati untuk Peningkatan Keandalan

Deskripsi Produk

Transistor RF MOSFET 5-175MHz 150Watt 50Volt Penguatan 18dB. Dirancang untuk aplikasi komersial dan militer broadband pada frekuensi hingga 175 MHz. Daya tinggi, penguatan tinggi, dan kinerja broadband perangkat ini memungkinkan pemancar solid state untuk siaran FM atau pita frekuensi saluran TV.

Spesifikasi

● Kategori Produk: Transistor RF MOSFET
● Polaritas Transistor: N-Channel
● Id - Drain Kontinyu Saat Ini: Para 16
● Vds - Tegangan Kerusakan Sumber-sumber: 125 V
● Keuntungan: 13 dB
● Output Power: 150 W
● Suhu Operasi Minimum: - 65 C
● Suhu Operasi Maksimum: + 150c
● Mounting Style: SMD / SMT
● Paket / kasus: 221-11-3
● Kemasan: Baki
● Konfigurasi: Tunggal
● Frekuensi operasi: 175 MHz
● Pd - Pembuangan Daya: 300 W
● Tipe Produk: Transistor RF MOSFET
● Jumlah paket pabrik: 20
● Subkategori: MOSFET
● Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: 40 V
● Vgs th - Tegangan Ambang Sumber Gerbang: 3 V