MRFE6VP5300N RF POWER MOSFET TRANSISTOR -RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

MRFE6VP5300N RF POWER MOSFET TRANSISTOR Deskripsi Perangkat dengan kekasaran tinggi ini, MRFE6VP5300NR1 dan MRFE6VP5300GNR1, dirancang untuk digunakan dalam industri VSWR tinggi (termasuk penggerak laser dan plasma), penyiaran (analog dan digital), ruang angkasa, dan aplikasi seluler radio / darat. Mereka adalah desain input dan output yang tak tertandingi yang memungkinkan pemanfaatan rentang frekuensi yang luas, antara 1.8 dan 600 MHz. Fitur ● Rentang Frekuensi Operasi Lebar ● Kekasaran Ekstrim ● Input dan Output Tak Tertandingi Memungkinkan Pemanfaatan Rentang Frekuensi Luas ● Peningkatan Stabilitas Terintegrasi ● Tahan Panas Rendah ● Sirkuit Perlindungan ESD Terintegrasi ● Sesuai RoHS ● Dalam Pita dan Gulungan. Sufiks R1 = 500 Unit, Lebar Pita 44 mm, Gulungan 13 inci. Parameter Utama

Detil

Sebelumnya:FMUSER MRF171A RF Power Transistor Daya MOSFET Asli Baru

Berikutnya:FMUSER Asli MRF1K50H RF Daya MOSFET LDMOS Transistor 1500W CW pada 50 V di atas 1.8-500 MHz

Harga (USD)	Qty (PCS)	Pengiriman (USD)	Total (USD)	Metode pengiriman	Pembayaran
135	1	0	135	DHL
				DHL

MRFE6VP5300N TRANSISTOR MOSFET DAYA RF

Deskripsi Produk

Perangkat berkekuatan tinggi ini, MRFE6VP5300NR1 dan MRFE6VP5300GNR1, dirancang untuk digunakan dalam industri VSWR tinggi (termasuk pengeksitasi laser dan plasma), siaran (analog dan digital), ruang angkasa, dan aplikasi seluler radio / darat. Mereka adalah desain input dan output yang tak tertandingi yang memungkinkan pemanfaatan rentang frekuensi yang luas, antara 1.8 dan 600 MHz.

Fitur
●Rentang Frekuensi Operasi yang Luas
●Kekasaran Ekstrim
●Input dan Output yang Tak Tertandingi Memungkinkan Penggunaan Jangkauan Frekuensi yang Luas
●Peningkatan Stabilitas Terintegrasi
●Resistensi termal rendah
●Sirkuit Perlindungan ESD Terintegrasi
●RoHS Compliant
●Di Tape dan Reel. Aksen R1 = Unit 500, 44 mm Tape Width, Reel 13-inch.

Parameter Kunci
●Frekuensi (Min) 1.8 (MHz)
●Frekuensi (Maks) 600 (MHz)
●Tegangan Suplai (Typ) 50 (V)
●P1dB (Tip) 54.8 (dBm)
●P1dB (Biasa) 300 (W)
●Daya Output (Jenis) (W) @ Tingkat Intermodulasi pada Sinyal Uji 300.0 @ CW
●Uji Sinyal CW
●Penguatan Daya (Biasanya) 25.0 @ 230 (dB) @ f (MHz)
●Efisiensi (Typ) 70 (%)

●Ketahanan Termal (Spesifikasi) 0.22 (℃ / W)